Определение параметров центров рекомбинации в силовых полупроводниковых приборах

Описаны новые дифференциальные методы определения параметров центров рекомбинации, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника на примере примеси золота в кремнии. Апробация показала достаточно высокую точность предлагаемых методик обработки вольтамперных характеристик с систематической погрешностью не более 0,05 эВ для энергии активации глубоких уровней. Учитывая простоту метода и доступность оборудования, можно рекомендовать диагностики рекомбинационных центров в силовых полупроводниковых приборах большой мощности, когда применение емкостных методов затруднительно.

p - n-переход, рекомбинация, рекомбинационные центры, энергия активации, коэффициенты захвата, методика определения параметров, p - n-transition, recombination, recombination centers, activation energy, capture coefficients, method of determining the parameters

1. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., Doncker R. Semiconductor Power Devices. - London - New York: Springer Heidelberg Dordrecht, 2011. - 536 p.

2. Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. - М.: МГУ, 1997. - 462 с.

3. Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой в p - n-переходах. - Л.: Энергия, 1980. - 156 с.

4. Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Статистическая задержка пробоя микроплазм в фосфидогаллиевых p - n-переходах / Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. № 11. С. 1345 - 1349.

5. Sah Chih-Thing, Noyce R. N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p - n junctions and p - n junction caracteristics / Proc. IRE. 1957. Vol. 45. N 9. P. 1228 - 1243.

6. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p - n-переходов / Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 10. С. 1193 - 1196.

7. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик / Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 5. С. 22 - 27.

8. Булярский С. В., Грушко Н. С., Локалин А. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в GaP светодиодах / ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 6. С. 723 - 726.